Продукція > IXYS > IXTP36P15P
IXTP36P15P

IXTP36P15P IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA025489909D8BF&compId=IXT_36P15P.pdf?ci_sign=43e84b0c7625b0bc77fce7d732308fb491cdfed2 Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
Reverse recovery time: 228ns
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.75 грн
10+274.30 грн
50+269.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP36P15P IXYS

Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP36P15P за ціною від 249.55 грн до 602.82 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP36P15P IXTP36P15P Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36p15p-datasheet?assetguid=5c8451ac-89cf-436c-a647-4ce257cd7c86 Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+558.11 грн
50+291.28 грн
100+267.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36P15P IXTP36P15P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA025489909D8BF&compId=IXT_36P15P.pdf?ci_sign=43e84b0c7625b0bc77fce7d732308fb491cdfed2 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
Reverse recovery time: 228ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 218 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+585.30 грн
10+341.82 грн
50+323.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36P15P IXTP36P15P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_36P15P_Datasheet.PDF MOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+602.82 грн
10+305.47 грн
100+253.38 грн
500+249.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36P15P IXTP36P15P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36P15P IXTP36P15P Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_36p15p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP36P15P IXTP36P15P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 150V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.