на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 46+ | 274.41 грн |
| 48+ | 258.84 грн |
| 50+ | 248.14 грн |
| 100+ | 228.01 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP3N100D2 Ixys Corporation
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP3N100D2 за ціною від 88.50 грн до 395.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTP3N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB On-state resistance: 5.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 17ns Gate charge: 1.02µC |
на замовлення 186 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXTP3N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 3A Power dissipation: 125W Case: TO220AB On-state resistance: 5.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 17ns Gate charge: 1.02µC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 186 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXTP3N100D2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A |
на замовлення 953 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXTP3N100D2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V |
на замовлення 278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IXTP3N100D2 Код товару: 163724
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|
||||||||||||||||||
|
|
IXTP3N100D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |



