Продукція > IXYS CORPORATION > IXTP3N100D2
IXTP3N100D2

IXTP3N100D2 Ixys Corporation

media.pdf Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+280.26 грн
48+264.36 грн
50+253.43 грн
100+232.87 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP3N100D2 Ixys Corporation

Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Depletion Mode, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP3N100D2 за ціною від 88.50 грн до 413.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 Виробник : IXYS IXTA(P)3N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+299.01 грн
10+202.61 грн
25+190.94 грн
50+182.60 грн
100+174.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 Виробник : IXYS IXTA(P)3N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 1.02µC
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 17ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 179 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+358.81 грн
10+252.48 грн
25+229.12 грн
50+219.12 грн
100+209.11 грн
250+196.10 грн
500+187.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_3N100_Datasheet.PDF MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+381.94 грн
10+223.68 грн
100+179.30 грн
500+174.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100-datasheet?assetguid=f0dbe4a2-4395-4958-a595-7cdc8d2662e1 Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+413.88 грн
50+209.06 грн
100+190.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2
Код товару: 163724
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100-datasheet?assetguid=f0dbe4a2-4395-4958-a595-7cdc8d2662e1 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+88.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 Виробник : Littelfuse mosfets_n-channel_depletion_mode_ixt_3n100_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.