Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXTP3N100D2

IXTP3N100D2

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100-datasheet?assetguid=f0dbe4a2-4395-4958-a595-7cdc8d2662e1
Код товару: 163724
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
Кількість Ціна
1+88.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTP3N100D2 за ціною від 151.26 грн до 373.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+307.94 грн
48+290.47 грн
50+278.46 грн
100+255.88 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_3N100_Datasheet.PDF MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
на замовлення 944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+331.08 грн
10+193.89 грн
100+155.42 грн
500+151.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100-datasheet?assetguid=f0dbe4a2-4395-4958-a595-7cdc8d2662e1 Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+373.11 грн
50+188.47 грн
100+171.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.