Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXTP3N100D2

IXTP3N100D2

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100-datasheet?assetguid=f0dbe4a2-4395-4958-a595-7cdc8d2662e1
Код товару: 163724
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
КількістьЦіна
1+88.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTP3N100D2 за ціною від 160.38 грн до 445.38 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 IXYS IXTA(P)3N100D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 1.02µC
Reverse recovery time: 17ns
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+323.95 грн
10+208.57 грн
25+186.97 грн
50+173.67 грн
100+160.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100-datasheet?assetguid=f0dbe4a2-4395-4958-a595-7cdc8d2662e1 Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+371.23 грн
50+187.52 грн
100+171.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2 IXTP3N100D2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_3N100_Datasheet.PDF MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.38 грн
10+238.17 грн
100+188.46 грн
500+185.01 грн
1000+173.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2 IXTA(P)3N100D2.pdf
IXTP3N100D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 3A; 125W; TO220AB; 17ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
On-state resistance: 5.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Gate charge: 1.02µC
Reverse recovery time: 17ns
на замовлення 154 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
2+323.95 грн
10+208.57 грн
25+186.97 грн
50+173.67 грн
100+160.38 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2 littelfuse-discrete-mosfets-ixt-3n100-datasheet?assetguid=f0dbe4a2-4395-4958-a595-7cdc8d2662e1
IXTP3N100D2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1.5A, 0V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020 pF @ 25 V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+371.23 грн
50+187.52 грн
100+171.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N100D2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_3N100_Datasheet.PDF
IXTP3N100D2
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 3A
на замовлення 1136 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+445.38 грн
10+238.17 грн
100+188.46 грн
500+185.01 грн
1000+173.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.