IXTP3N120 IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 700ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 700ns
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 500.94 грн |
3+ | 351.79 грн |
7+ | 332.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP3N120 IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm.
Інші пропозиції IXTP3N120 за ціною від 341.22 грн до 601.13 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTP3N120 | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 200W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm |
на замовлення 114 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP3N120 | Виробник : IXYS | MOSFET MOSFET Id3 BVdass1200 |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP3N120 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 3A Power dissipation: 200W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5Ω Mounting: THT Gate charge: 42nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 700ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 295 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
IXTP3N120 Код товару: 129937 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
IXTP3N120 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXTP3N120 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXTP3N120 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXTP3N120 | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
IXTP3N120 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
товар відсутній |