Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXTP3N120

IXTP3N120

littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6
Код товару: 129937
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTP3N120 за ціною від 249.18 грн до 759.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS IXT_3N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Gate charge: 42nC
Reverse recovery time: 700ns
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 200W
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+532.76 грн
5+451.69 грн
10+430.18 грн
50+384.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6 Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+611.59 грн
50+324.74 грн
100+299.30 грн
500+249.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+759.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+759.58 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS littelfuse_discrete_MOSFETs_IXTP3N120_datasheet.PDF MOSFETs MOSFET Id3 BVdass1200
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXT_3N120.pdf
IXTP3N120
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Case: TO220AB
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Gate charge: 42nC
Reverse recovery time: 700ns
On-state resistance: 4.5Ω
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 200W
на замовлення 260 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+532.76 грн
5+451.69 грн
10+430.18 грн
50+384.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6
IXTP3N120
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+611.59 грн
50+324.74 грн
100+299.30 грн
500+249.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 media.pdf
IXTP3N120
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+759.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 media.pdf
IXTP3N120
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
19+759.58 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6
IXTP3N120
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 200W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 118 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 littelfuse_discrete_MOSFETs_IXTP3N120_datasheet.PDF
IXTP3N120
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET Id3 BVdass1200
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.