Продукція > IXYS > IXTP3N120
IXTP3N120

IXTP3N120 IXYS


IXT_3N120.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 700ns
на замовлення 295 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+500.94 грн
3+ 351.79 грн
7+ 332.55 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP3N120 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm.

Інші пропозиції IXTP3N120 за ціною від 341.22 грн до 601.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTP3N120 IXTP3N120 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
на замовлення 114 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+557.92 грн
5+ 517.96 грн
10+ 478 грн
50+ 406.76 грн
100+ 341.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP3N120 IXTP3N120 Виробник : IXYS media-3320848.pdf MOSFET MOSFET Id3 BVdass1200
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+593.32 грн
10+ 501.4 грн
50+ 415.55 грн
100+ 363.44 грн
250+ 362.78 грн
500+ 350.91 грн
IXTP3N120 IXTP3N120 Виробник : IXYS IXT_3N120.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 700ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+601.13 грн
3+ 438.39 грн
7+ 399.06 грн
IXTP3N120
Код товару: 129937
littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120_datasheet.pdf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
IXTP3N120 IXTP3N120 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IXTP3N120 IXTP3N120 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IXTP3N120 Виробник : Littelfuse crete_mosfets_n-channel_standard_ixth3n120_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IXTP3N120 IXTP3N120 Виробник : Littelfuse crete_mosfets_n-channel_standard_ixth3n120_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IXTP3N120 IXTP3N120 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixta3n120_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
товар відсутній