IXTP3N120 IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 497.76 грн |
| 5+ | 464.12 грн |
| 10+ | 430.49 грн |
| 50+ | 368.51 грн |
| 100+ | 316.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP3N120 IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXTP3N120 за ціною від 306.08 грн до 766.01 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP3N120 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V |
на замовлення 1065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTP3N120 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTP3N120 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTP3N120 | Виробник : IXYS |
MOSFETs MOSFET Id3 BVdass1200 |
на замовлення 600 шт: термін постачання 441-450 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
IXTP3N120 Код товару: 129937
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
|
|
IXTP3N120 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IXTP3N120 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
 |
IXTP3N120 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
| IXTP3N120 | Виробник : IXYS |
IXTP3N120 THT N channel transistors |
товару немає в наявності |