Продукція > IXYS > IXTP3N120
IXTP3N120

IXTP3N120 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939639605145D8BF&compId=IXT_3N120.pdf?ci_sign=d609b50c6bcbcefe4c172ac69adac53131300bfe Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+546.21 грн
3+403.40 грн
7+381.38 грн
100+367.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP3N120 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXTP3N120 за ціною від 269.28 грн до 713.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP3N120 IXTP3N120 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+583.47 грн
5+526.73 грн
10+469.15 грн
50+382.95 грн
100+337.53 грн
250+330.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE9939639605145D8BF&compId=IXT_3N120.pdf?ci_sign=d609b50c6bcbcefe4c172ac69adac53131300bfe Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; 200W; TO220AB; 700ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 3A
Power dissipation: 200W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 700ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 295 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+655.45 грн
3+502.70 грн
7+457.66 грн
100+440.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6 Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 1544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+660.63 грн
50+350.95 грн
100+323.44 грн
500+269.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+666.22 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_MOSFETs_IXTP3N120_datasheet.PDF MOSFETs MOSFET Id3 BVdass1200
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+679.03 грн
10+401.08 грн
100+336.68 грн
500+331.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+713.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120
Код товару: 129937
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 Виробник : Littelfuse crete_mosfets_n-channel_standard_ixth3n120_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 Виробник : Littelfuse crete_mosfets_n-channel_standard_ixth3n120_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 1.2KV 3A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.