Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXTP3N120

IXTP3N120

littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6
Код товару: 129937
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTP3N120 за ціною від 254.98 грн до 877.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6 Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+625.81 грн
50+332.29 грн
100+306.26 грн
500+254.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS littelfuse_discrete_MOSFETs_IXTP3N120_datasheet.PDF MOSFETs MOSFET Id3 BVdass1200
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+632.58 грн
10+373.64 грн
100+313.65 грн
500+308.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 IXTP3N120 IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+877.90 грн
5+763.03 грн
10+648.99 грн
50+495.97 грн
100+428.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 littelfuse-discrete-mosfets-ixta3n120-datasheet?assetguid=0f8a2134-6aa0-4538-a4e2-9a575d3790e6
IXTP3N120
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1350 pF @ 25 V
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+625.81 грн
50+332.29 грн
100+306.26 грн
500+254.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 littelfuse_discrete_MOSFETs_IXTP3N120_datasheet.PDF
IXTP3N120
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET Id3 BVdass1200
на замовлення 903 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+632.58 грн
10+373.64 грн
100+313.65 грн
500+308.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP3N120 LFSI-S-A0007924152-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP3N120
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP3N120 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1.2 kV, 3 A, 4.5 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+877.90 грн
5+763.03 грн
10+648.99 грн
50+495.97 грн
100+428.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.