Продукція > IXYS > IXTP450P2
IXTP450P2

IXTP450P2 IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55001B8D0D820&compId=IXTH(P%2CQ)450P2.pdf?ci_sign=bd2a070be623e6483ee1ebfc57c7e655c7dd0ea6 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+348.62 грн
6+176.07 грн
15+166.60 грн
100+160.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP450P2 IXYS

Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP450P2 за ціною від 192.34 грн до 459.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP450P2 IXTP450P2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D55001B8D0D820&compId=IXTH(P%2CQ)450P2.pdf?ci_sign=bd2a070be623e6483ee1ebfc57c7e655c7dd0ea6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.33Ω
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 400ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 176 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+418.34 грн
6+219.41 грн
15+199.92 грн
100+192.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2 IXTP450P2 Виробник : Ixys Corporation ttelfusediscretemosfetsnchannelstandardixt450p2datasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 176 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
27+459.02 грн
50+246.66 грн
100+227.61 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2
Код товару: 164249
Додати до обраних Обраний товар

DS100241ATPTHTQ450P2.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2 IXTP450P2 Виробник : Littelfuse crete_mosfets_n-channel_standard_ixt_450p2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2 IXTP450P2 Виробник : IXYS DS100241ATPTHTQ450P2.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP450P2 IXTP450P2 Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_450P2_Datasheet.PDF MOSFETs PolarP2 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.