Інші пропозиції IXTP450P2 за ціною від 136.28 грн до 403.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP450P2 | Виробник : IXYS |
 Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO220AB; 400ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.33Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Gate charge: 43nC Reverse recovery time: 400ns |
на замовлення 141 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTP450P2 | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 330mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2530 pF @ 25 V |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|