Продукція > IXYS > IXTP48N20T
IXTP48N20T

IXTP48N20T IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D511305565B820&compId=IXTA(P%2CQ)48N20T.pdf?ci_sign=96c4cd9fa46a40159c3190f1520d7e4bacc391d6 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO220AB; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 130ns
на замовлення 245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+290.05 грн
3+250.37 грн
6+169.81 грн
15+161.12 грн
100+155.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP48N20T IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 48A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 250W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP48N20T за ціною від 147.10 грн до 348.06 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP48N20T IXTP48N20T Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_48n20t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 48A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 250W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
на замовлення 943 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+296.91 грн
50+226.29 грн
100+193.97 грн
500+161.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48N20T IXTP48N20T Виробник : IXYS media-3321987.pdf MOSFETs 48 Amps 200V 50 Rds
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+329.07 грн
10+199.68 грн
100+156.95 грн
500+147.10 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48N20T IXTP48N20T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D511305565B820&compId=IXTA(P%2CQ)48N20T.pdf?ci_sign=96c4cd9fa46a40159c3190f1520d7e4bacc391d6 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 48A; 250W; TO220AB; 130ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 48A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 60nC
Reverse recovery time: 130ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+348.06 грн
3+312.01 грн
6+203.78 грн
15+193.35 грн
100+186.71 грн
500+185.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48N20T IXTP48N20T Виробник : Littelfuse e_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_48n20t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48N20T IXTP48N20T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.