Продукція > LITTELFUSE > IXTP48P05T
IXTP48P05T

IXTP48P05T Littelfuse

media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 50V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+287.27 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 50 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP48P05T Littelfuse

Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO220AB, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Vgs (Max): ±15V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220-3, Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTP48P05T за ціною від 117.57 грн до 333.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP48P05T IXTP48P05T IXYS IXT_48P05T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 150W
Gate charge: 53nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 30ns
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+304.48 грн
10+217.55 грн
50+184.54 грн
100+178.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05T IXTP48P05T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-48p05t-datasheet?assetguid=62c140ac-c7df-4f51-9814-249b142e0b84 Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+333.87 грн
50+176.19 грн
100+160.54 грн
500+128.76 грн
1000+117.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05T IXTP48P05T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_48P05T_Datasheet.PDF MOSFETs TenchP Power MOSFET
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05T IXT_48P05T.pdf
IXTP48P05T
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of package: tube
Power dissipation: 150W
Gate charge: 53nC
Polarisation: unipolar
Technology: TrenchP™
Drain current: -48A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -50V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 30mΩ
Reverse recovery time: 30ns
на замовлення 291 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+304.48 грн
10+217.55 грн
50+184.54 грн
100+178.61 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-48p05t-datasheet?assetguid=62c140ac-c7df-4f51-9814-249b142e0b84
IXTP48P05T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO220AB
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+333.87 грн
50+176.19 грн
100+160.54 грн
500+128.76 грн
1000+117.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_48P05T_Datasheet.PDF
IXTP48P05T
Виробник: IXYS
MOSFETs TenchP Power MOSFET
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.