Продукція > LITTELFUSE > IXTP48P05T
IXTP48P05T

IXTP48P05T Littelfuse

media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET P-CH 50V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+263.33 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP48P05T Littelfuse

Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP48P05T за ціною від 116.83 грн до 362.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP48P05T IXTP48P05T Виробник : IXYS IXT_48P05T.pdf Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchP™; unipolar; -50V; -48A; 150W; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Drain-source voltage: -50V
Drain current: -48A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±15V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 30ns
Gate charge: 53nC
Technology: TrenchP™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+302.56 грн
10+216.18 грн
50+183.38 грн
100+177.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05T IXTP48P05T Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-48p05t-datasheet?assetguid=62c140ac-c7df-4f51-9814-249b142e0b84 Description: MOSFET P-CH 50V 48A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3660 pF @ 25 V
на замовлення 1275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+331.77 грн
50+175.08 грн
100+159.53 грн
500+127.95 грн
1000+116.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP48P05T IXTP48P05T Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_48P05T_Datasheet.PDF MOSFETs TenchP Power MOSFET
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+362.81 грн
10+186.45 грн
100+160.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.