Продукція > IXYS > IXTP4N65X2
IXTP4N65X2

IXTP4N65X2 IXYS


pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
на замовлення 501 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
3+176.61 грн
10+93.49 грн
27+89.66 грн
50+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP4N65X2 IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).

Інші пропозиції IXTP4N65X2 за ціною від 72.96 грн до 267.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98CEA03E27AC218BF&compId=IXT_4N65X2.pdf?ci_sign=1e06986a1a313fae29edca8920249992d7574d8f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Power dissipation: 80W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.3nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: X2-Class
Reverse recovery time: 160ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 501 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+211.93 грн
10+116.51 грн
27+107.59 грн
50+103.92 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 3629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+248.29 грн
50+120.70 грн
100+109.18 грн
500+83.53 грн
1000+77.44 грн
2000+72.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007907389-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 80W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+267.39 грн
10+135.35 грн
100+122.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2
Код товару: 154844
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 Виробник : Littelfuse osfets_n-channel_ultra_junction_ixt_4n65x2_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 Виробник : IXYS media-3322412.pdf MOSFETs TO220 650V 4A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.