Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXTP4N65X2

IXTP4N65X2

littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e
Код товару: 154844
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTP4N65X2 за ціною від 84.35 грн до 284.80 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS IXT_4N65X2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Power dissipation: 80W
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+189.80 грн
10+100.48 грн
50+92.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+284.80 грн
50+139.28 грн
100+126.23 грн
500+97.03 грн
1000+90.14 грн
2000+84.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXTP4N65X2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_4N65X2_Datasheet.PDF MOSFETs TO220 650V 4A N-CH X2CLASS
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 IXT_4N65X2.pdf
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; X2-Class; unipolar; 650V; 4A; 80W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 4A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.85Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 160ns
Power dissipation: 80W
Gate charge: 8.3nC
Technology: X2-Class
на замовлення 497 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3+189.80 грн
10+100.48 грн
50+92.24 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 455 pF @ 25 V
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+284.80 грн
50+139.28 грн
100+126.23 грн
500+97.03 грн
1000+90.14 грн
2000+84.35 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 littelfuse-discrete-mosfets-ixtp12n65x2m-datasheet?assetguid=bb457d93-cec3-41b9-97ee-48a3a768170e
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP4N65X2 - Leistungs-MOSFET, Klasse X2, n-Kanal, 650 V, 4 A, 0.85 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 80W
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.85ohm
на замовлення 102 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP4N65X2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXT_4N65X2_Datasheet.PDF
IXTP4N65X2
Виробник: IXYS
MOSFETs TO220 650V 4A N-CH X2CLASS
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.