IXTP50N20P

IXTP50N20P Littelfuse


media.pdf Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 300 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+175.61 грн
10+ 164.96 грн
25+ 163.3 грн
50+ 152.3 грн
100+ 125.75 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP50N20P Littelfuse

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarHT, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

Інші пропозиції IXTP50N20P за ціною від 161.16 грн до 358.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTP50N20P IXTP50N20P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_50n20p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
150+177.8 грн
Мінімальне замовлення: 150
IXTP50N20P IXTP50N20P Виробник : IXYS IXTA50N20P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 239 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+241.29 грн
3+ 198.39 грн
5+ 178.28 грн
13+ 168.56 грн
50+ 165.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP50N20P IXTP50N20P Виробник : IXYS IXTA50N20P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 239 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+289.55 грн
3+ 247.23 грн
5+ 213.93 грн
13+ 202.28 грн
50+ 198.95 грн
IXTP50N20P IXTP50N20P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_50n20p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
50+325.71 грн
100+ 266.87 грн
Мінімальне замовлення: 50
IXTP50N20P IXTP50N20P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_50n20p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
на замовлення 390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+331.37 грн
50+ 252.86 грн
100+ 216.74 грн
IXTP50N20P IXTP50N20P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 360W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarHT
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+336.92 грн
10+ 266.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
IXTP50N20P IXTP50N20P Виробник : IXYS media-3321760.pdf MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+358.94 грн
10+ 297.91 грн
50+ 243.73 грн
100+ 209.1 грн
250+ 197.78 грн
500+ 185.8 грн
1000+ 161.16 грн
IXTP50N20P IXTP50N20P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IXTP50N20P IXTP50N20P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_50n20p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній