на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 222.95 грн |
| 50+ | 208.62 грн |
| 100+ | 193.84 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP50N20P Littelfuse
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 360W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarHT, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXTP50N20P за ціною від 146.71 грн до 412.16 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTP50N20P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP50N20P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 50A Power dissipation: 360W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 150ns |
на замовлення 154 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTP50N20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP50N20P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds |
на замовлення 383 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP50N20P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V |
на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP50N20P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 360W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarHT productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
|
IXTP50N20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |