Продукція > IXYS > IXTP50N20PM
IXTP50N20PM

IXTP50N20PM IXYS


media-3321984.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs 20 Amps 200V 0.060 Ohm Rds
на замовлення 67 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+695.22 грн
10+561.77 грн
50+414.19 грн
100+380.35 грн
250+328.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP50N20PM IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 20A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP50N20PM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP50N20PM IXTP50N20PM Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PM IXTP50N20PM Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PM IXTP50N20PM Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PM Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp50n20pm_datasheet.pdf.pdf IXTP50N20PM THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PM IXTP50N20PM Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtp50n20pm_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.