Продукція > IXYS > IXTP50N20PM
IXTP50N20PM

IXTP50N20PM IXYS

media?resourcetype=datasheets&itemid=9727117E-9511-47E2-8518-493CFDCC189D&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXTP50N20PM-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 20A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP50N20PM IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 20A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 90W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP50N20PM

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP50N20PM IXTP50N20PM IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTP50N20PM_Datasheet.PDF MOSFETs 20 Amps 200V 0.060 Ohm Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PM IXTP50N20PM IXYS IXTP50N20PM-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 20A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: Polar™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PM IXTP50N20PM Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PM IXTP50N20PM Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PM Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXTP50N20PM_Datasheet.PDF
IXTP50N20PM
Виробник: IXYS
MOSFETs 20 Amps 200V 0.060 Ohm Rds
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PM IXTP50N20PM-DTE.pdf
IXTP50N20PM
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 200V; 20A; 90W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 20A
Power dissipation: 90W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
Technology: Polar™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PM media.pdf
IXTP50N20PM
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N20PM media.pdf
IXTP50N20PM
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 200V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.