Продукція > IXYS > IXTP50N25T
IXTP50N25T

IXTP50N25T IXYS

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_50N25T_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs 50 Amps 250V 50 Rds
на замовлення 195 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+409.44 грн
10+214.55 грн
100+170.26 грн
500+169.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP50N25T IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP50N25T за ціною від 208.21 грн до 446.04 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP50N25T IXTP50N25T IXYS IXTA(H,P,Q)50N25T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+414.19 грн
10+332.50 грн
25+280.39 грн
50+234.07 грн
100+225.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25T IXTP50N25T IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-50N25T-Datasheet.PDF?assetguid=D7F19B2B-0219-4B0C-A29D-B093518EE586 Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+446.04 грн
50+227.67 грн
100+208.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25T IXTA(H,P,Q)50N25T.pdf
IXTP50N25T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO220AB; 166ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 50A
Power dissipation: 400W
Case: TO220AB
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 166ns
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 284 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+414.19 грн
10+332.50 грн
25+280.39 грн
50+234.07 грн
100+225.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP50N25T Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Trench-Gate-IXT-50N25T-Datasheet.PDF?assetguid=D7F19B2B-0219-4B0C-A29D-B093518EE586
IXTP50N25T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+446.04 грн
50+227.67 грн
100+208.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.