на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 325.46 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP52P10P Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXTP52P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 52 A, 0.05 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTP52P10P за ціною від 209.19 грн до 554.18 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTP52P10P | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP52P10P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V |
на замовлення 176 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP52P10P | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTP52P10P - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 52 A, 0.05 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP52P10P | Виробник : IXYS |
MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP52P10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXTP52P10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXTP52P10P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO220AB Technology: PolarP™ Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Drain current: -52A Gate charge: 60nC Reverse recovery time: 120ns On-state resistance: 50mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXTP52P10P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO220AB Technology: PolarP™ Mounting: THT Kind of package: tube Drain-source voltage: -100V Drain current: -52A Gate charge: 60nC Reverse recovery time: 120ns On-state resistance: 50mΩ Polarisation: unipolar Gate-source voltage: ±20V Power dissipation: 300W Case: TO220AB Kind of channel: enhancement Type of transistor: P-MOSFET |
товару немає в наявності |