IXTP60N20T IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Drain current: 60A
On-state resistance: 40mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 500W
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 73nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 118ns
Drain-source voltage: 200V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 359.33 грн |
| 3+ | 299.67 грн |
| 4+ | 239.32 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP60N20T IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP60N20T за ціною від 251.06 грн до 439.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP60N20T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTP60N20T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Drain current: 60A On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 500W Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 73nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 118ns Drain-source voltage: 200V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTP60N20T | Виробник : IXYS |
MOSFET Trench POWER MOSFETs 200v, 60A |
на замовлення 216 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTP60N20T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXTP60N20T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |