
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
36+ | 344.95 грн |
38+ | 330.12 грн |
50+ | 317.55 грн |
100+ | 295.82 грн |
250+ | 265.60 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP60N20T Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP60N20T за ціною від 221.48 грн до 530.57 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP60N20T | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V |
на замовлення 198 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTP60N20T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 73nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO220AB Reverse recovery time: 118ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTP60N20T | Виробник : Ixys Corporation |
![]() |
на замовлення 234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTP60N20T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTP60N20T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns On-state resistance: 40mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 500W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 73nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO220AB Reverse recovery time: 118ns Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 234 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTP60N20T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXTP60N20T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |