IXTP60N20T IXYS
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 497.05 грн |
| 50+ | 256.61 грн |
| 100+ | 235.15 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP60N20T IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP60N20T за ціною від 235.41 грн до 565.39 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP60N20T | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns Type of transistor: N-MOSFET Kind of package: tube Case: TO220AB Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 60A Gate charge: 73nC Reverse recovery time: 118ns On-state resistance: 40mΩ Power dissipation: 500W Kind of channel: enhancement Mounting: THT |
на замовлення 192 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTP60N20T | IXYS |
MOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A |
на замовлення 66 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXTP60N20T |
|
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 192 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 510.98 грн |
| 10+ | 394.71 грн |
| 25+ | 321.58 грн |
| 50+ | 265.91 грн |
| 100+ | 260.09 грн |
| IXTP60N20T |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
MOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
на замовлення 66 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 565.39 грн |
| 10+ | 305.65 грн |
| 100+ | 235.41 грн |