Продукція > LITTELFUSE > IXTP60N20T
IXTP60N20T

IXTP60N20T Littelfuse

lfusediscretemosfetsnchanneltrenchgateixt60n20tdatasheet.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
36+414.79 грн
38+396.96 грн
50+381.85 грн
100+355.71 грн
250+319.37 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 36 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP60N20T Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP60N20T за ціною від 253.85 грн до 565.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_60N20T_Datasheet.PDF MOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+468.21 грн
10+296.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTP60N20T Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+543.43 грн
50+416.25 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 500W
Gate charge: 73nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 118ns
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+551.21 грн
4+294.80 грн
10+278.57 грн
100+267.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTP60N20T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-60n20t-datasheet?assetguid=a2bc6b7d-dab8-4007-9c70-5b1fc95634b1 Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+565.43 грн
10+369.45 грн
50+294.59 грн
100+253.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_60N20T_Datasheet.PDF
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
MOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
на замовлення 46 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+468.21 грн
10+296.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T media.pdf
IXTP60N20T
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+543.43 грн
50+416.25 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTA(P,Q)60N20T.pdf
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Mounting: THT
Case: TO220AB
Power dissipation: 500W
Gate charge: 73nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 200V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
On-state resistance: 40mΩ
Reverse recovery time: 118ns
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+551.21 грн
4+294.80 грн
10+278.57 грн
100+267.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-60n20t-datasheet?assetguid=a2bc6b7d-dab8-4007-9c70-5b1fc95634b1
IXTP60N20T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+565.43 грн
10+369.45 грн
50+294.59 грн
100+253.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.