Продукція > LITTELFUSE > IXTP60N20T
IXTP60N20T

IXTP60N20T Littelfuse

lfusediscretemosfetsnchanneltrenchgateixt60n20tdatasheet.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
36+363.15 грн
38+347.54 грн
50+334.31 грн
100+311.42 грн
250+279.61 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP60N20T Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V, Power Dissipation (Max): 500W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP60N20T за ціною від 206.38 грн до 502.01 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP60N20T IXTP60N20T Виробник : IXYS IXTA(P,Q)60N20T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 60A; 500W; TO220AB; 118ns
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 60A
Gate charge: 73nC
Reverse recovery time: 118ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 500W
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+443.78 грн
10+376.83 грн
50+304.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTP60N20T Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+475.77 грн
50+364.42 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTP60N20T Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_60N20T_Datasheet.PDF MOSFETs Trench POWER MOSFETs 200v, 60A
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+487.25 грн
10+257.38 грн
100+206.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTP60N20T Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-60n20t-datasheet?assetguid=a2bc6b7d-dab8-4007-9c70-5b1fc95634b1 Description: MOSFET N-CH 200V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 73 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4530 pF @ 25 V
на замовлення 193 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+502.01 грн
50+259.17 грн
100+237.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N20T IXTP60N20T Виробник : Littelfuse lfusediscretemosfetsnchanneltrenchgateixt60n20tdatasheet.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.