IXTP62N15P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO220AB
Case: TO220AB
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Kind of package: tube
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 62A
Gate charge: 70nC
Reverse recovery time: 150ns
On-state resistance: 40mΩ
Power dissipation: 350W
Gate-source voltage: ±20V
на замовлення 261 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 313.65 грн |
| 10+ | 188.78 грн |
| 50+ | 181.52 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP62N15P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP62N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 62 A, 0.04 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 62A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarHT, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXTP62N15P за ціною від 188.98 грн до 408.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP62N15P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 150V 62A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 31A, 10V Power Dissipation (Max): 350W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V |
на замовлення 627 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTP62N15P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 62A; 350W; TO220AB Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Kind of package: tube Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 150V Drain current: 62A Gate charge: 70nC Reverse recovery time: 150ns On-state resistance: 40mΩ Power dissipation: 350W Gate-source voltage: ±20V кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 261 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTP62N15P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 62 Amps 150V 0.04 Rds |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTP62N15P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP62N15P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 62 A, 0.04 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 62A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 350W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarHT productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
IXTP62N15P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 150V 62A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |