Продукція > IXYS > IXTP6N100D2
IXTP6N100D2

IXTP6N100D2 IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-6n100-datasheet?assetguid=c49ba42b-7a18-44bb-be04-da2e6496f67b
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 312 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+808.48 грн
50+438.09 грн
100+405.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP6N100D2 IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTP6N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTP6N100D2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP6N100D2 IXTP6N100D2 IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_6N100_Datasheet.PDF MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2 IXTP6N100D2 LITTELFUSE LFSI-S-A0007909500-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTP6N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2 Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Depletion_Mode_IXT_6N100_Datasheet.PDF
IXTP6N100D2
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N100D2 LFSI-S-A0007909500-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP6N100D2
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTP6N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 1kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.