IXTP6N100D2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1kV
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 2.2Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 41ns
на замовлення 350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 669.86 грн |
| 3+ | 459.37 грн |
| 6+ | 434.77 грн |
| 50+ | 427.63 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP6N100D2 IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTP6N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTP6N100D2 за ціною від 349.33 грн до 803.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP6N100D2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel, Depletion Mode Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V |
на замовлення 36 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP6N100D2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A |
на замовлення 656 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP6N100D2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTP6N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 864 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTP6N100D2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1kV; 6A; 300W; TO220AB; 41ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1kV Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 2.2Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 41ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP6N100D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXTP6N100D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |