IXTP6N100D2 Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 1000V 6A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel, Depletion Mode
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 3A, 0V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 666.89 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP6N100D2 Littelfuse Inc.
Description: LITTELFUSE - IXTP6N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 1kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: -, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції IXTP6N100D2 за ціною від 365.63 грн до 794.25 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP6N100D2 | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTP6N100D2 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 1 kV, 6 A, 2.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 1kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: - Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.2ohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP6N100D2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 1000V 6A |
на замовлення 559 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| IXTP6N100D2 | Виробник : IXYS |
IXTP6N100D2 THT N channel transistors |
на замовлення 350 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
 |
IXTP6N100D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXTP6N100D2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 1KV 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товару немає в наявності |