| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 28+ | 506.35 грн |
| 30+ | 484.59 грн |
| 50+ | 466.13 грн |
| 100+ | 434.23 грн |
| 250+ | 389.87 грн |
| 500+ | 364.09 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP6N50D2 Littelfuse
Description: LITTELFUSE - IXTP6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-220AB, tariffCode: 0, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTP6N50D2 за ціною від 335.46 грн до 1067.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTP6N50D2 | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 6A Power dissipation: 300W Case: TO220AB On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: depletion Reverse recovery time: 64ns |
на замовлення 129 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTP6N50D2 | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB |
на замовлення 556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTP6N50D2 | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
|
IXTP6N50D2 | IXYS |
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A |
на замовлення 374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
|
IXTP6N50D2 | LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTP6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-220ABtariffCode: 0 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Compute Module 3+ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: N Channel Rds(on)-Prüfspannung: 0V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXTP6N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 129 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 656.60 грн |
| 10+ | 432.74 грн |
| 50+ | 347.20 грн |
| 100+ | 335.46 грн |
| IXTP6N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
Description: MOSFET N-CH 500V 6A TO220AB
на замовлення 556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 839.47 грн |
| 10+ | 560.88 грн |
| 50+ | 454.89 грн |
| 100+ | 394.95 грн |
| 500+ | 340.41 грн |
| IXTP6N50D2 |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14+ | 1067.93 грн |
| IXTP6N50D2 |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
MOSFETs N-CH MOSFETS (D2) 500V 6A
на замовлення 374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IXTP6N50D2 |
![]() |
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTP6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
Description: LITTELFUSE - IXTP6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)







