Продукція > LITTELFUSE > IXTP6N50D2
IXTP6N50D2

IXTP6N50D2 Littelfuse

media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
28+524.39 грн
30+501.86 грн
50+482.74 грн
100+449.70 грн
250+403.77 грн
500+377.07 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 21-31 дні (днів)
Мінімальна партія: 28 шт
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP6N50D2 Littelfuse

Description: LITTELFUSE - IXTP6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-220AB, tariffCode: 0, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Compute Module 3+ Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: N Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 0V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

Інші пропозиції IXTP6N50D2 за ціною від 507.71 грн до 1105.98 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP6N50D2 IXTP6N50D2 IXYS IXTA(H,P)6N50D2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+938.10 грн
2+536.58 грн
5+507.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 IXTP6N50D2 Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+1105.98 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 IXTP6N50D2 LITTELFUSE LFSI-S-A0007909444-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTP6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 IXTA(H,P)6N50D2.pdf
IXTP6N50D2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6A; 300W; TO220AB; 64ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6A
Power dissipation: 300W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: depletion
Reverse recovery time: 64ns
на замовлення 304 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+938.10 грн
2+536.58 грн
5+507.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 media.pdf
IXTP6N50D2
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 500V 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 162 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
14+1105.98 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP6N50D2 LFSI-S-A0007909444-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP6N50D2
Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTP6N50D2 - MOSFET, N-CH, 500V, 6A, TO-220AB
tariffCode: 0
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Compute Module 3+ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: N Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 0V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 509 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.