Продукція > IXYS > IXTP76N25T
IXTP76N25T

IXTP76N25T IXYS


media-3320179.pdf
Виробник: IXYS
MOSFETs 76 Amps 250V 39 Rds
на замовлення 230 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+435.37 грн
10+363.25 грн
50+294.90 грн
100+249.48 грн
250+234.80 грн
500+210.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP76N25T IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP76N25T за ціною від 422.51 грн до 488.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP76N25T IXTP76N25T Виробник : IXYS DS99663C(IXTA-TH-TI-TP-TQ76N25T).pdf Description: MOSFET N-CH 250V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4500 pF @ 25 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+488.22 грн
10+422.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.