Продукція > IXYS > IXTP76P10T
IXTP76P10T

IXTP76P10T IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 100V 76A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 76A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 298W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 197 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13700 pF @ 25 V
на замовлення 8055 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+404.12 грн
50+ 311.14 грн
100+ 278.39 грн
500+ 230.52 грн
1000+ 207.47 грн
2000+ 194.4 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP76P10T IXYS

Description: LITTELFUSE - IXTP76P10T - MOSFET, P-CH, 100V, 76A, TO-220AB, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 76A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 298W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: TrenchP Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).

Інші пропозиції IXTP76P10T за ціною від 237.07 грн до 461.67 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTP76P10T IXTP76P10T Виробник : IXYS media-3319760.pdf MOSFET MSFT P-CH TRENCH GATE
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+438.96 грн
10+ 388.27 грн
100+ 279.03 грн
500+ 243.07 грн
1000+ 237.07 грн
IXTP76P10T IXTP76P10T Виробник : LITTELFUSE littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf Description: LITTELFUSE - IXTP76P10T - MOSFET, P-CH, 100V, 76A, TO-220AB
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 76A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 298W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.025ohm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Dec-2014)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+459.43 грн
25+ 393.69 грн
Мінімальне замовлення: 2
IXTP76P10T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf IXTP76P10T THT P channel transistors
на замовлення 71 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+461.67 грн
4+ 292.18 грн
10+ 275.53 грн
IXTP76P10T IXTP76P10T Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IXTP76P10T Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_76p10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IXTP76P10T IXTP76P10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IXTP76P10T IXTP76P10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 76A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній