Продукція > IXYS > IXTP80N10T
IXTP80N10T

IXTP80N10T IXYS

IXTA80N10T.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
на замовлення 9902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+242.54 грн
50+126.99 грн
100+121.82 грн
500+107.21 грн
1000+101.96 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP80N10T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.

Інші пропозиції IXTP80N10T за ціною від 123.13 грн до 294.66 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP80N10T IXTP80N10T Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 202 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+250.64 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T Виробник : IXYS media-3322005.pdf MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
на замовлення 436 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.92 грн
10+144.22 грн
100+123.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924847-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T Виробник : IXYS IXTA80N10T.pdf IXTP80N10T THT N channel transistors
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+294.66 грн
7+177.66 грн
18+168.16 грн
1000+167.72 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T
Код товару: 46876
Додати до обраних Обраний товар

IXTA80N10T.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T Виробник : Littelfuse e_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtp80n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.