Продукція > IXYS > IXTP80N10T
IXTP80N10T

IXTP80N10T IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D406B88E9F9820&compId=IXTA(P)80N10T.pdf?ci_sign=bc8f5f5b020fd346b1d379e0314e69667636f1ab Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+215.78 грн
10+165.52 грн
50+146.51 грн
100+137.80 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP80N10T IXYS

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.

Інші пропозиції IXTP80N10T за ціною від 98.43 грн до 268.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP80N10T IXTP80N10T Виробник : Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+237.58 грн
60+210.20 грн
100+197.50 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T Виробник : IXYS IXTA80N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
на замовлення 9902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+249.19 грн
50+127.77 грн
100+124.65 грн
500+107.87 грн
1000+100.43 грн
2000+98.43 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A3D406B88E9F9820&compId=IXTA(P)80N10T.pdf?ci_sign=bc8f5f5b020fd346b1d379e0314e69667636f1ab Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 103 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+258.93 грн
10+206.26 грн
50+175.81 грн
100+165.36 грн
500+161.56 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXTP80N10T_Datasheet.PDF MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
на замовлення 423 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+268.76 грн
10+139.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924847-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T
Код товару: 46876
Додати до обраних Обраний товар

IXTA80N10T.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T Виробник : Littelfuse e_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtp80n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.