
IXTP80N10T Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
на замовлення 9910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 225.21 грн |
50+ | 119.70 грн |
100+ | 113.33 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP80N10T Littelfuse Inc.
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 230W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.
Інші пропозиції IXTP80N10T за ціною від 119.18 грн до 271.35 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP80N10T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Case: TO220AB Polarisation: unipolar On-state resistance: 14mΩ Power dissipation: 230W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Reverse recovery time: 100ns Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 137 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTP80N10T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 539 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTP80N10T | Виробник : Ixys Corporation |
![]() |
на замовлення 202 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTP80N10T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Case: TO220AB Polarisation: unipolar On-state resistance: 14mΩ Power dissipation: 230W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 60nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Reverse recovery time: 100ns Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTP80N10T | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 230W Bauform - Transistor: TO-220 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||
![]() |
IXTP80N10T Код товару: 46876
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||
![]() |
IXTP80N10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXTP80N10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |