Інші пропозиції IXTP80N10T за ціною від 93.50 грн до 333.11 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTP80N10T | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 80A Power dissipation: 230W Case: TO220AB On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 100ns |
на замовлення 60 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP80N10T | Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP80N10T | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220ABPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V |
на замовлення 16602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
IXTP80N10T | IXYS |
MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds |
на замовлення 103 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| IXTP80N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 242.49 грн |
| 10+ | 176.92 грн |
| 50+ | 152.37 грн |
| IXTP80N10T |
![]() |
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 52+ | 275.60 грн |
| IXTP80N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
на замовлення 16602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 321.21 грн |
| 50+ | 158.83 грн |
| 100+ | 144.28 грн |
| 500+ | 111.46 грн |
| 1000+ | 103.77 грн |
| 2000+ | 97.31 грн |
| 5000+ | 93.50 грн |
| IXTP80N10T |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 333.11 грн |
| 10+ | 169.03 грн |
| 100+ | 130.10 грн |







