Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXTP80N10T

IXTP80N10T

IXTA80N10T.pdf
Код товару: 46876
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTP80N10T за ціною від 91.37 грн до 313.91 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP80N10T IXTP80N10T IXYS IXTA(P)80N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+236.98 грн
10+172.90 грн
50+148.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T Ixys Corporation media.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+275.60 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T IXYS IXTA80N10T.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
на замовлення 16602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+313.91 грн
50+155.22 грн
100+141.00 грн
500+108.93 грн
1000+101.41 грн
2000+95.10 грн
5000+91.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXTP80N10T_Datasheet.PDF MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTP80N10T IXYS SEMICONDUCTOR LFSI-S-A0007924847-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTA(P)80N10T.pdf
IXTP80N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 80A; 230W; TO220AB; 100ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 80A
Power dissipation: 230W
Case: TO220AB
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 60nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+236.98 грн
10+172.90 грн
50+148.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T media.pdf
IXTP80N10T
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
52+275.60 грн
Мінімальне замовлення: 52 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T IXTA80N10T.pdf
IXTP80N10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3040 pF @ 25 V
на замовлення 16602 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+313.91 грн
50+155.22 грн
100+141.00 грн
500+108.93 грн
1000+101.41 грн
2000+95.10 грн
5000+91.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXTP80N10T_Datasheet.PDF
IXTP80N10T
Виробник: IXYS
MOSFETs 80 Amps 100V 13.0 Rds
на замовлення 103 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP80N10T LFSI-S-A0007924847-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTP80N10T
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTP80N10T - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 0.014 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.