Продукція > LITTELFUSE > IXTP86N20X4
IXTP86N20X4

IXTP86N20X4 LITTELFUSE

LFSI-S-A0013462896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Виробник: LITTELFUSE
Description: LITTELFUSE - IXTP86N20X4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 86 A, 0.013 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+431.72 грн
5+430.87 грн
10+430.03 грн
50+398.53 грн
100+367.14 грн
250+366.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP86N20X4 LITTELFUSE

Description: LITTELFUSE - IXTP86N20X4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 86 A, 0.013 ohm, TO-220, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 86A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-220, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції IXTP86N20X4 за ціною від 525.20 грн до 763.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP86N20X4 IXTP86N20X4 Виробник : Littelfuse Inc. IXTP86N20X4_DS.pdf Description: MOSFET 200V 86A N-CH ULTRA TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 86A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+742.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP86N20X4 IXTP86N20X4 Виробник : IXYS media-3323378.pdf MOSFETs TO220 200V 86A N-CH X4CLASS
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+763.28 грн
10+743.70 грн
25+602.17 грн
50+525.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP86N20X4 IXTP86N20X4 Виробник : Littelfuse media.pdf X4-Class Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP86N20X4 Виробник : Littelfuse media.pdf Discrete MOSFET 86A 200V X4 TO220
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.