IXTP8N65X2M Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 227.60 грн |
| 50+ | 157.94 грн |
| 100+ | 135.08 грн |
| 500+ | 88.67 грн |
| 1000+ | 85.66 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP8N65X2M Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP8N65X2M за ціною від 105.20 грн до 242.90 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP8N65X2M | Виробник : IXYS |
MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS |
на замовлення 107 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTP8N65X2M | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 650V 4A 3-Pin(3+Tab) OVERMOLDED TO-220 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
 |
IXTP8N65X2M | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 12nC Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
IXTP8N65X2M | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 8A Power dissipation: 32W Case: TO220FP On-state resistance: 0.55Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Gate charge: 12nC Reverse recovery time: 200ns |
товару немає в наявності |