Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTP8N65X2M
IXTP8N65X2M

IXTP8N65X2M Littelfuse Inc.

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-120n65x2-datasheet?assetguid=2fc5b0bc-3c70-4763-8133-4874997afbe6
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 32W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
на замовлення 1462 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+212.79 грн
50+138.09 грн
100+118.71 грн
500+79.98 грн
1000+76.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP8N65X2M Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 650V 4A TO220, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-220, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 32W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-220-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V.

Інші пропозиції IXTP8N65X2M за ціною від 102.22 грн до 282.34 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Ultra_Junction_IXTP8N65X2M_Datasheet.PDF MOSFETs TO220 650V 8A N-CH X2CLASS
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+282.34 грн
10+142.35 грн
100+106.40 грн
500+102.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP8N65X2M IXTP8N65X2M Виробник : IXYS IXTP8N65X2M.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; 32W; TO220FP; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 32W
Case: TO220FP
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 200ns
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.