
IXTP8N70X2 IXYS

Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO220AB; 200ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 700V
Drain current: 8A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 0.5Ω
Mounting: THT
Gate charge: 12nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: ultra junction x-class
Reverse recovery time: 200ns
на замовлення 228 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
2+ | 243.46 грн |
3+ | 203.85 грн |
6+ | 162.46 грн |
16+ | 153.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP8N70X2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 700V 8A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V.
Інші пропозиції IXTP8N70X2 за ціною від 183.92 грн до 292.15 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP8N70X2 | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 8A; 150W; TO220AB; 200ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 700V Drain current: 8A Power dissipation: 150W Case: TO220AB On-state resistance: 0.5Ω Mounting: THT Gate charge: 12nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: ultra junction x-class Reverse recovery time: 200ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 228 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTP8N70X2 | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXTP8N70X2 | Виробник : IXYS |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 700 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 10 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||
![]() |
IXTP8N70X2 | Виробник : IXYS |
![]() |
товару немає в наявності |