IXTP90N055T2 IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Reverse recovery time: 37ns
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
On-state resistance: 8.4mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO220AB
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 42nC
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 252.26 грн |
| 10+ | 96.68 грн |
| 27+ | 91.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP90N055T2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP90N055T2 за ціною від 87.53 грн до 358.43 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTP90N055T2 | Виробник : IXYS |
MOSFETs 90 Amps 55V 0.0084 Rds |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTP90N055T2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns Reverse recovery time: 37ns Drain-source voltage: 55V Drain current: 90A On-state resistance: 8.4mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 150W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO220AB Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 42nC Mounting: THT Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 292 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
| IXTP90N055T2 | Виробник : Ixys Corporation |
Trans MOSFET N-CH 55V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
на замовлення 292 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
|
IXTP90N055T2 Код товару: 172517
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||
 |
IXTP90N055T2 | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 55V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220 |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
 |
IXTP90N055T2 | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |