IXTP90N055T2


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_90n055t2_datasheet.pdf.pdf
Код товару: 172517
Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товар відсутній

Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTP90N055T2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTP90N055T2 IXTP90N055T2 Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 90A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220
товар відсутній
IXTP90N055T2 IXTP90N055T2 Виробник : IXYS IXTA(I,P,Y)90N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 37ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
IXTP90N055T2 IXTP90N055T2 Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_90n055t2_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 55V 90A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2770 pF @ 25 V
товар відсутній
IXTP90N055T2 IXTP90N055T2 Виробник : IXYS media-3322040.pdf MOSFET 90 Amps 55V 0.0084 Rds
товар відсутній
IXTP90N055T2 IXTP90N055T2 Виробник : IXYS IXTA(I,P,Y)90N055T2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 90A; 150W; TO220AB; 37ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 90A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
On-state resistance: 8.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 42nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 37ns
товар відсутній