IXTQ100N25P

IXTQ100N25P Littelfuse Inc.


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_100n25p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
на замовлення 699 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+590.66 грн
30+469.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ100N25P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 250V 100A TO3P, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6300 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 185 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3P, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 24mOhm @ 50A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTQ100N25P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTQ100N25P IXTQ100N25P.pdf TO-3P,Vdss=250V,Id=100A,Rds(on)=27mOm,-55...+150 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ100N25P IXTQ100N25P Виробник : IXYS media-3322260.pdf MOSFETs 100 Amps 250V 0.027 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.