Продукція > IXYS > IXTQ10P50P
IXTQ10P50P

IXTQ10P50P IXYS


media-3319144.pdf Виробник: IXYS
MOSFETs -10.0 Amps -500V 1.000 Rds
на замовлення 600 шт:

термін постачання 441-450 дні (днів)
Кількість Ціна
1+702.09 грн
30+454.32 грн
120+362.69 грн
270+342.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ10P50P IXYS

Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ10P50P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTQ10P50P IXTQ10P50P Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ10P50P IXTQ10P50P Виробник : Littelfuse media.pdf Trans MOSFET P-CH 500V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ10P50P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf IXTQ10P50P THT P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ10P50P IXTQ10P50P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_10p50p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET P-CH 500V 10A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2840 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.