
на замовлення 300 шт:
термін постачання 210-219 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 437.73 грн |
10+ | 362.10 грн |
30+ | 297.95 грн |
120+ | 255.28 грн |
270+ | 241.30 грн |
510+ | 226.59 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ130N10T IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ130N10T
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
IXTQ130N10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
IXTQ130N10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
IXTQ130N10T | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 100V 130A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5080 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |