на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 853.28 грн |
| 3+ | 538.60 грн |
| 6+ | 509.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ130N20T IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 65A, 10V, Power Dissipation (Max): 830W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ130N20T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTQ130N20T | Виробник : Littelfuse |
 Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товару немає в наявності |
||
| IXTQ130N20T | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 65A, 10V Power Dissipation (Max): 830W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||
 |
IXTQ130N20T | Виробник : IXYS |
MOSFETs TO3P 200V 130A N-CH TRENCH |
товару немає в наявності |