IXTQ130N20T IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 830W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 150ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Trench™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 75A
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 830W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 16mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 150nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 625.94 грн |
3+ | 395.79 грн |
6+ | 374.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ130N20T IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W, Type of transistor: N-MOSFET, Technology: Trench™, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 200V, Drain current: 75A, Pulsed drain current: 320A, Power dissipation: 830W, Case: TO3P, Gate-source voltage: ±20V, On-state resistance: 16mΩ, Mounting: THT, Gate charge: 150nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet, Reverse recovery time: 150ns, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTQ130N20T за ціною від 449.2 грн до 751.12 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTQ130N20T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Trench™; unipolar; 200V; 75A; Idm: 320A; 830W Type of transistor: N-MOSFET Technology: Trench™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 75A Pulsed drain current: 320A Power dissipation: 830W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 150nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 15 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||
IXTQ130N20T | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 200V 130A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товар відсутній |
||||||||||
IXTQ130N20T | Виробник : IXYS | Description: MOSFET N-CH 200V 130A TO3P |
товар відсутній |
||||||||||
IXTQ130N20T | Виробник : IXYS | MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN1 |
товар відсутній |