IXTQ140N10P

IXTQ140N10P Littelfuse Inc.


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_140n10p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3P
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
на замовлення 840 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+342.41 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ140N10P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3P, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3P, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube.

Інші пропозиції IXTQ140N10P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTQ140N10P IXTQ%2CIXTT140N10P.pdf TO-3P Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ140N10P IXTQ140N10P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_140N10P_Datasheet.PDF MOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ140N10P IXTQ140N10P Виробник : IXYS IXTQ140N10P-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 140A
Power dissipation: 600W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 155nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 120ns
Technology: PolarHT™
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.