IXTQ140N10P Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 600W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 339.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ140N10P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 140A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 600W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ140N10P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ140N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 140A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTQ140N10P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 600W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: PolarHT™ Reverse recovery time: 120ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTQ140N10P | Виробник : IXYS |
MOSFETs 140 Amps 100V 0.011 Rds |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTQ140N10P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 100V; 140A; 600W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 140A Power dissipation: 600W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 11mΩ Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Technology: PolarHT™ Reverse recovery time: 120ns |
товару немає в наявності |