| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1183.05 грн |
| 30+ | 698.05 грн |
| 60+ | 645.55 грн |
| 120+ | 564.43 грн |
| 510+ | 490.82 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ150N15P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ150N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.013 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 150, Dauer-Drainstrom Id: 150, Qualifikation: -, Verlustleistung Pd: 714, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5, Verlustleistung: 714, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).
Інші пропозиції IXTQ150N15P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ150N15P | IXYS SEMICONDUCTOR |
 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ150N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.013 ohm, TO-3P, DurchsteckmontageTransistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150 Dauer-Drainstrom Id: 150 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 714 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 714 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013 SVHC: No SVHC (12-Jan-2017) |
на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTQ150N15P |
|
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ150N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.013 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 714
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 714
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ150N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.013 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 714
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 714
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)