IXTQ150N15P Littelfuse Inc.


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_150n15p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
на замовлення 429 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1+716.00 грн
30+496.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ150N15P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO3P, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3P, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 714W (Tc).

Інші пропозиції IXTQ150N15P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTQ150N15P IXTQ150N15P IXYS media-3322446.pdf MOSFETs 150 Amps 150V 0.013 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15P media-3322446.pdf
Виробник: IXYS
MOSFETs 150 Amps 150V 0.013 Rds
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.