IXTQ150N15P IXYS SEMICONDUCTOR
Виробник: IXYS SEMICONDUCTORDescription: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ150N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.013 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 714
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 714
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 457.17 грн |
| 5+ | 448.28 грн |
| 10+ | 438.65 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ150N15P IXYS SEMICONDUCTOR
Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 714W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ150N15P за ціною від 472.93 грн до 911.61 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ150N15P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P Drain-source voltage: 150V Drain current: 150A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 714W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.19µC Technology: PolarHT™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO3P Reverse recovery time: 150ns |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTQ150N15P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 150V; 150A; 714W; TO3P Drain-source voltage: 150V Drain current: 150A On-state resistance: 13mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 714W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 0.19µC Technology: PolarHT™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO3P Reverse recovery time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTQ150N15P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 714W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTQ150N15P | Виробник : IXYS |
MOSFET 150 Amps 150V 0.013 Rds |
на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IXTQ150N15P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 150V 150A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товар відсутній |