Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTQ150N15P
IXTQ150N15P

IXTQ150N15P Littelfuse Inc.

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_150n15p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO3P
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 714W (Tc)
на замовлення 429 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+699.73 грн
30+485.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ150N15P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 150V 150A TO3P, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 500mA, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5800 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 190 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Vgs (Max): ±20V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-3P, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 714W (Tc).

Інші пропозиції IXTQ150N15P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTQ150N15P IXTQ150N15P IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ150N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.013 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 714
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 714
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ150N15P IXYS-S-A0008595727-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IXTQ150N15P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ150N15P - Leistungs-MOSFET, PolarFET, n-Kanal, 150 V, 150 A, 0.013 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150
Dauer-Drainstrom Id: 150
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 714
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 714
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.013
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.