Продукція > IXYS > IXTQ160N10T
IXTQ160N10T

IXTQ160N10T IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth160n10t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 430W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ160N10T IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 160A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 430W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 132 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6600 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ160N10T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTQ160N10T IXTQ160N10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXTQ160N10T_Datasheet.PDF MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ160N10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth160n10t_datasheet.pdf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 430W; TO3P; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO3P
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 132nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ160N10T IXTQ160N10T Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixth160n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ160N10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXTQ160N10T_Datasheet.PDF
IXTQ160N10T
Виробник: IXYS
MOSFETs 160 Amps 100V 6.9 Rds
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ160N10T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixth160n10t_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 100V; 160A; 430W; TO3P; automotive industry
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 160A
Power dissipation: 430W
Case: TO3P
Gate-source voltage: 30V
On-state resistance: 7mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 132nC
Application: automotive industry
Reverse recovery time: 100ns
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ160N10T _mosfets_n-channel_trench_gate_ixth160n10t_datasheet.pdf.pdf
IXTQ160N10T
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 160A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.