IXTQ16N50P Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 345.38 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ16N50P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 16A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 8A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ16N50P
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ16N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 16A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTQ16N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 300W Gate charge: 43nC Technology: PolarHT™ Gate-source voltage: ±30V Case: TO3P кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|
 |
IXTQ16N50P | Виробник : IXYS |
MOSFET 16.0 Amps 500 V 0.4 Ohm Rds |
товару немає в наявності |
|
|
|
IXTQ16N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 500V; 16A; 300W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 400ns Drain-source voltage: 500V Drain current: 16A On-state resistance: 0.4Ω Power dissipation: 300W Gate charge: 43nC Technology: PolarHT™ Gate-source voltage: ±30V Case: TO3P |
товару немає в наявності |