Продукція > IXYS > IXTQ170N10P

IXTQ170N10P IXYS


Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_170N10P_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds
на замовлення 828 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+610.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 31-40 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ170N10P IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 715W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ170N10P за ціною від 368.58 грн до 1485.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTQ170N10P IXTQ170N10P Littelfuse ete_mosfets_n-channel_standard_ixt_170n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+728.17 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10P IXTQ170N10P IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949 Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+825.31 грн
30+479.60 грн
120+410.53 грн
510+368.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10P IXTQ170N10P Littelfuse ete_mosfets_n-channel_standard_ixt_170n10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1485.26 грн
10+1368.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10P ete_mosfets_n-channel_standard_ixt_170n10p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+728.17 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10P littelfuse-discrete-mosfets-ixt-170n10p-datasheet?assetguid=175ebd9e-7358-496e-8ac0-7b03e2fb1949
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+825.31 грн
30+479.60 грн
120+410.53 грн
510+368.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ170N10P ete_mosfets_n-channel_standard_ixt_170n10p_datasheet.pdf.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+1485.26 грн
10+1368.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.