IXTQ170N10P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 170A
Power dissipation: 715W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 198nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 120ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 752.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ170N10P IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 715W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ170N10P за ціною від 508.16 грн до 903.14 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ170N10P | Виробник : IXYS |
MOSFET 170 Amps 100V 0.009 Ohm Rds |
на замовлення 1848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
IXTQ170N10P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 100V; 170A; 715W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 170A Power dissipation: 715W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 9mΩ Mounting: THT Gate charge: 198nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 120ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
IXTQ170N10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
IXTQ170N10P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 715W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V |
товар відсутній |