
IXTQ170N10P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 715W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 877.78 грн |
30+ | 674.83 грн |
120+ | 603.80 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ170N10P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 100V 170A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 715W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 198 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ170N10P за ціною від 450.97 грн до 1000.24 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTQ170N10P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 1359 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
![]() |
IXTQ170N10P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
IXTQ170N10P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 301 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|