Продукція > IXYS > IXTQ180N10T
IXTQ180N10T

IXTQ180N10T IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtq180n10t_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 480W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
на замовлення 840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+427.27 грн
30+ 326.04 грн
120+ 279.46 грн
510+ 233.12 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ180N10T IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 180A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 180A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 480W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 151 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ180N10T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTQ180N10T IXTQ180N10T Виробник : IXYS media-3323780.pdf MOSFET 180 Amps 100V 6.1 Rds
товар відсутній