IXTQ200N10T IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Case: TO3P
Mounting: THT
On-state resistance: 5.5mΩ
Kind of package: tube
Power dissipation: 550W
Drain current: 200A
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Gate charge: 152nC
Drain-source voltage: 100V
Reverse recovery time: 76ns
Kind of channel: enhanced
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 443.31 грн |
| 3+ | 279.84 грн |
| 8+ | 264.96 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ200N10T IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 550W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ200N10T за ціною від 287.46 грн до 531.97 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ200N10T | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 550W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTQ200N10T | Виробник : IXYS |
MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTQ200N10T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns Case: TO3P Mounting: THT On-state resistance: 5.5mΩ Kind of package: tube Power dissipation: 550W Drain current: 200A Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 152nC Drain-source voltage: 100V Reverse recovery time: 76ns Kind of channel: enhanced Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTQ200N10T Код товару: 103720 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
| IXTQ200N10T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 100V 200A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товар відсутній |