Продукція > IXYS > IXTQ200N10T
IXTQ200N10T

IXTQ200N10T IXYS

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD8557B5AE1820&compId=IXTH(Q)200N10T.pdf?ci_sign=fabd2ae31ac34d7d3d3b92bb0d92dc142a6b5f45 Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 550W
Case: TO3P
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 76ns
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+594.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ200N10T IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 550W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ200N10T за ціною від 339.11 грн до 713.08 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTQ200N10T IXTQ200N10T Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_200n10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+595.37 грн
10+518.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTQ200N10T Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N-Channel_Trench_Gate_-1856310.pdf MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+601.04 грн
10+535.23 грн
30+456.23 грн
120+385.04 грн
270+381.21 грн
510+339.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTQ200N10T Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531ED9A4CD8557B5AE1820&compId=IXTH(Q)200N10T.pdf?ci_sign=fabd2ae31ac34d7d3d3b92bb0d92dc142a6b5f45 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 200A
Power dissipation: 550W
Case: TO3P
On-state resistance: 5.5mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 152nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 76ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+713.08 грн
10+566.39 грн
30+407.62 грн
120+365.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTQ200N10T
Код товару: 103720
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_200n10t_datasheet.pdf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T Виробник : Littelfuse _mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_200n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 200A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.