Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXTQ200N10T

IXTQ200N10T

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_200n10t_datasheet.pdf.pdf
Код товару: 103720
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
УКТЗЕД: 8541290010
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTQ200N10T за ціною від 288.98 грн до 616.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTQ200N10T IXTQ200N10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N-Channel_Trench_Gate_-1856310.pdf MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
на замовлення 18 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+512.18 грн
10+456.10 грн
30+388.78 грн
120+328.12 грн
270+324.86 грн
510+288.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTQ200N10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_200n10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+555.81 грн
10+483.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTQ200N10T IXYS IXTH(Q)200N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 76ns
On-state resistance: 5.5mΩ
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 550W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+616.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N-Channel_Trench_Gate_-1856310.pdf
IXTQ200N10T
Виробник: IXYS
MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
на замовлення 18 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+512.18 грн
10+456.10 грн
30+388.78 грн
120+328.12 грн
270+324.86 грн
510+288.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_200n10t_datasheet.pdf.pdf
IXTQ200N10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+555.81 грн
10+483.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTH(Q)200N10T.pdf
IXTQ200N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 76ns
On-state resistance: 5.5mΩ
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 550W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+616.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.