Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXTQ200N10T
IXTQ200N10T

IXTQ200N10T

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_200n10t_datasheet.pdf.pdf
Код товару: 103720
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTQ200N10T за ціною від 311.54 грн до 630.85 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTQ200N10T IXTQ200N10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N-Channel_Trench_Gate_-1856310.pdf MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+552.17 грн
10+491.72 грн
30+419.14 грн
120+353.74 грн
270+350.22 грн
510+311.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTQ200N10T IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_200n10t_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO3P
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+568.85 грн
10+495.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTQ200N10T IXYS IXTH(Q)200N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 76ns
On-state resistance: 5.5mΩ
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 550W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+630.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N-Channel_Trench_Gate_-1856310.pdf
IXTQ200N10T
Виробник: IXYS
MOSFET 200 Amps 100V 5.4 Rds
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+552.17 грн
10+491.72 грн
30+419.14 грн
120+353.74 грн
270+350.22 грн
510+311.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_200n10t_datasheet.pdf.pdf
IXTQ200N10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO3P
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+568.85 грн
10+495.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ200N10T IXTH(Q)200N10T.pdf
IXTQ200N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns
Case: TO3P
Mounting: THT
Kind of package: tube
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 152nC
Reverse recovery time: 76ns
On-state resistance: 5.5mΩ
Drain current: 200A
Drain-source voltage: 100V
Power dissipation: 550W
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+630.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.