
IXTQ200N10T IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 550W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 586.90 грн |
10+ | 510.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ200N10T IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 200A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 550W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 152 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ200N10T за ціною від 328.57 грн до 758.81 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTQ200N10T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTQ200N10T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Case: TO3P Polarisation: unipolar On-state resistance: 5.5mΩ Power dissipation: 550W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 152nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Reverse recovery time: 76ns Type of transistor: N-MOSFET |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTQ200N10T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 200A; 550W; TO3P; 76ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 200A Case: TO3P Polarisation: unipolar On-state resistance: 5.5mΩ Power dissipation: 550W Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 152nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Reverse recovery time: 76ns Type of transistor: N-MOSFET кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
IXTQ200N10T Код товару: 103720
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
|
||||||||||||||||
IXTQ200N10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |