IXTQ22N50P

IXTQ22N50P Littelfuse Inc.


littelfuse-discrete-mosfets-ixt-22n50p-datasheet?assetguid=aa88a2b6-6037-4575-9c3c-a71212b980d4 Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET N-CH 500V 22A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630 pF @ 25 V
на замовлення 65 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+459.18 грн
30+269.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ22N50P Littelfuse Inc.

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 350W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXTQ22N50P за ціною від 216.29 грн до 520.92 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTQ22N50P IXTQ22N50P Виробник : IXYS media-3322262.pdf MOSFETs 22.0 Amps 500 V 0.27 Ohm Rds
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+481.50 грн
30+285.11 грн
120+216.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50P Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-22n50p-datasheet?assetguid=aa88a2b6-6037-4575-9c3c-a71212b980d4 IXTQ22N50P THT N channel transistors
на замовлення 148 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+520.92 грн
4+289.67 грн
11+274.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50P
Код товару: 188888
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-22n50p-datasheet?assetguid=aa88a2b6-6037-4575-9c3c-a71212b980d4 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50P IXTQ22N50P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_22n50p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ22N50P IXTQ22N50P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008595746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ22N50P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 22 A, 0.27 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.27ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.