Інші пропозиції IXTQ26N50P за ціною від 301.18 грн до 669.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
IXTQ26N50P | IXYS |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 26A Power dissipation: 400W Case: TO3P On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 300ns |
на замовлення 163 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTQ26N50P | IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO3PPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
на замовлення 320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
IXTQ26N50P | IXYS |
MOSFETs 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds |
на замовлення 117 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
|
IXTQ26N50P | Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| IXTQ26N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 163 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 451.26 грн |
| 3+ | 385.34 грн |
| 10+ | 334.40 грн |
| 30+ | 330.29 грн |
| IXTQ26N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 669.62 грн |
| 30+ | 379.25 грн |
| 60+ | 347.56 грн |
| 120+ | 301.18 грн |
| IXTQ26N50P |
![]() |
Виробник: IXYS
MOSFETs 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
MOSFETs 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds
на замовлення 117 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| IXTQ26N50P |
![]() |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






