IXTQ26N50P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
On-state resistance: 0.23Ω
Mounting: THT
Gate charge: 65nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Reverse recovery time: 300ns
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 430.54 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ26N50P IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ26N50P за ціною від 241.19 грн до 516.65 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ26N50P | Виробник : IXYS |
MOSFET 26.0 Amps 500 V 0.23 Ohm Rds |
на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
IXTQ26N50P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; 400W; TO3P; 300ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 26A Power dissipation: 400W Case: TO3P On-state resistance: 0.23Ω Mounting: THT Gate charge: 65nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 300ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTQ26N50P Код товару: 94734 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||||||||||||||||
 |
IXTQ26N50P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 500V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTQ26N50P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 26A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 230mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V |
товар відсутній |