на замовлення 922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 574.37 грн |
| 10+ | 481.24 грн |
| 30+ | 337.16 грн |
| 120+ | 316.27 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ26P20P IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ26P20P за ціною від 254.12 грн до 589.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ26P20P | Виробник : Littelfuse Inc. |
 Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO3PPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V |
на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTQ26P20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товару немає в наявності |
|||||||||||
 |
IXTQ26P20P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P Mounting: THT Case: TO3P Kind of package: tube Gate charge: 56nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 240ns Drain-source voltage: -200V Drain current: -26A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXTQ26P20P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P Mounting: THT Case: TO3P Kind of package: tube Gate charge: 56nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: ±20V Reverse recovery time: 240ns Drain-source voltage: -200V Drain current: -26A On-state resistance: 0.17Ω Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar |
товару немає в наявності |