Продукція > IXYS > IXTQ26P20P

IXTQ26P20P IXYS


IXT_26P20P.pdf
Виробник: IXYS
Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -200V; -26A; 300W; TO3P
Mounting: THT
Case: TO3P
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -200V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.17Ω
Reverse recovery time: 240ns
Power dissipation: 300W
Gate charge: 56nC
Polarisation: unipolar
Technology: PolarP™
Drain current: -26A
на замовлення 264 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+560.96 грн
3+357.85 грн
8+338.97 грн
30+337.25 грн
120+326.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Товар під замовлення
Немає на нашому складі — привозимо зі складу постачальника після оформлення замовлення.
термін постачання: 14-30 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ26P20P IXYS

Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ26P20P за ціною від 325.47 грн до 899.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTQ26P20P IXTQ26P20P IXYS media?resourcetype=datasheets&itemid=2195210B-D8E6-4E3F-B910-12B7E438E63A&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-26P20P-Datasheet.PDF Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+729.05 грн
30+413.92 грн
60+379.55 грн
120+329.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20P IXTQ26P20P IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_26P20P_Datasheet.PDF MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
на замовлення 370 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+781.62 грн
10+416.27 грн
120+333.84 грн
510+325.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20P IXTQ26P20P Ixys Corporation ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+899.55 грн
22+686.75 грн
30+588.65 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20P media?resourcetype=datasheets&itemid=2195210B-D8E6-4E3F-B910-12B7E438E63A&filename=Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-26P20P-Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 200V 26A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 13A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2740 pF @ 25 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+729.05 грн
30+413.92 грн
60+379.55 грн
120+329.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20P Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_26P20P_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs -26.0 Amps -200V 0.170 Rds
на замовлення 370 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+781.62 грн
10+416.27 грн
120+333.84 грн
510+325.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ26P20P ttelfuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_26p20p_datasheet.pdf
Виробник: Ixys Corporation
Trans MOSFET P-CH 200V 26A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
на замовлення 292 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
17+899.55 грн
22+686.75 грн
30+588.65 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.