IXTQ30N50L IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns
Mounting: THT
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Case: TO3P
Gate charge: 240nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 0.5µs
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 30A
On-state resistance: 0.2Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 400W
Features of semiconductor devices: linear power mosfet
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ30N50L IXYS
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns, Mounting: THT, Polarisation: unipolar, Kind of package: tube, Case: TO3P, Gate charge: 240nC, Kind of channel: enhanced, Reverse recovery time: 0.5µs, Drain-source voltage: 500V, Drain current: 30A, On-state resistance: 0.2Ω, Type of transistor: N-MOSFET, Power dissipation: 400W, Features of semiconductor devices: linear power mosfet, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції IXTQ30N50L
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ30N50L | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 500V 30A TO-3P |
товар відсутній |
|
 |
IXTQ30N50L | Виробник : IXYS |
MOSFET 30 Amps 500V |
товар відсутній |
|
|
|
IXTQ30N50L | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 30A; 400W; TO3P; 500ns Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO3P Gate charge: 240nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 0.5µs Drain-source voltage: 500V Drain current: 30A On-state resistance: 0.2Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 400W Features of semiconductor devices: linear power mosfet |
товар відсутній |