IXTQ30N60L2 IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 540W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V
на замовлення 260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1259.48 грн |
| 30+ | 982.11 грн |
| 120+ | 924.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ30N60L2 IXYS
Description: MOSFET N-CH 600V 30A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 240mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 540W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 335 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10700 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ30N60L2 за ціною від 835.85 грн до 1349.8 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ30N60L2 | Виробник : IXYS |
MOSFET 30 Amps 600V |
на замовлення 300 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTQ30N60L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO3P Gate charge: 335nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 710ns Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A On-state resistance: 0.24Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 540W Features of semiconductor devices: linear power mosfet кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
IXTQ30N60L2 | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 540W; TO3P; 710ns Mounting: THT Polarisation: unipolar Kind of package: tube Case: TO3P Gate charge: 335nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 710ns Drain-source voltage: 600V Drain current: 30A On-state resistance: 0.24Ω Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 540W Features of semiconductor devices: linear power mosfet |
товар відсутній |