Продукція > IXYS > IXTQ34N65X2M
IXTQ34N65X2M

IXTQ34N65X2M IXYS

Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Mounting: THT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
On-state resistance: 96mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+603.61 грн
2+ 403.03 грн
3+ 402.34 грн
6+ 380.83 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ34N65X2M IXYS

Description: DISCRETE MOSFET 34A 650V X2 TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ34N65X2M за ціною від 370.26 грн до 724.87 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M Виробник : IXYS Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 34A; Idm: 48A; 40W; TO3PF
Mounting: THT
Power dissipation: 40W
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 48A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 34A
On-state resistance: 96mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+724.33 грн
2+ 502.24 грн
3+ 482.8 грн
6+ 457 грн
IXTQ34N65X2M IXTQ34N65X2M Виробник : IXYS media-3322105.pdf MOSFET MSFT 34A 650V X2
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+724.87 грн
10+ 611.89 грн
30+ 482.14 грн
120+ 442.85 грн
270+ 403.56 грн
510+ 386.24 грн
1020+ 370.26 грн
IXTQ34N65X2M Виробник : IXYS Description: DISCRETE MOSFET 34A 650V X2 TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V
товар відсутній