на замовлення 299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 386.65 грн |
| 10+ | 262.59 грн |
| 120+ | 227.55 грн |
| 510+ | 222.00 грн |
| 1020+ | 206.14 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ36N30P IXYS
Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ36N30P за ціною від 209.36 грн до 457.98 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ36N30P | Виробник : IXYS |
 Description: MOSFET N-CH 300V 36A TO3PPackaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V |
на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTQ36N30P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
IXTQ36N30P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 300V 36A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товару немає в наявності |