IXTQ36P15P Littelfuse Inc.
Виробник: Littelfuse Inc.Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 1286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 602.41 грн |
| 30+ | 347.59 грн |
| 120+ | 293.27 грн |
| 510+ | 245.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ36P15P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ36P15P за ціною від 287.50 грн до 670.84 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ36P15P | Виробник : IXYS |
MOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds |
на замовлення 6746 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
 |
IXTQ36P15P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO3P Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -36A Power dissipation: 300W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 228ns кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
|||||||||||
|
|
IXTQ36P15P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO3P Type of transistor: P-MOSFET Technology: PolarP™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -150V Drain current: -36A Power dissipation: 300W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.11Ω Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Reverse recovery time: 228ns |
товару немає в наявності |