Продукція > IXYS > IXTQ36P15P
IXTQ36P15P

IXTQ36P15P IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-36p15p-datasheet?assetguid=5c8451ac-89cf-436c-a647-4ce257cd7c86 Виробник: IXYS
Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V
на замовлення 895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+611.10 грн
30+321.56 грн
120+290.08 грн
510+242.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ36P15P IXYS

Description: MOSFET P-CH 150V 36A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 18A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ36P15P за ціною від 274.81 грн до 659.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTQ36P15P IXTQ36P15P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_36P15P_Datasheet.PDF MOSFETs -36.0 Amps -150V 0.110 Rds
на замовлення 3395 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+659.09 грн
10+350.36 грн
120+274.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ36P15P IXTQ36P15P Виробник : IXYS pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB82531EE98EA025489909D8BF&compId=IXT_36P15P.pdf?ci_sign=43e84b0c7625b0bc77fce7d732308fb491cdfed2 Category: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -150V; -36A; 300W; TO3P
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: PolarP™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -150V
Drain current: -36A
Power dissipation: 300W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 55nC
Reverse recovery time: 228ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.