Продукція > LITTELFUSE > IXTQ3N150M

IXTQ3N150M Littelfuse

Name: IXTQ3N150M
Brand: IXYS
SKU: 459857673-1
Price: 673.05 UAH
Availability: BackOrder

Виробник: Littelfuse
High Voltage Power MOSFET

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис IXTQ3N150M Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 1500V 1.83A TO3PFP, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.83A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 73W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PFP, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ3N150M

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
IXTQ3N150M	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 1.83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 1.83A Pulsed drain current: 9A Power dissipation: 73W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7.3Ω Mounting: THT Gate charge: 38.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns кількість в упаковці: 1 шт	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTQ3N150M	Виробник : IXYS	Description: MOSFET N-CH 1500V 1.83A TO3PFP Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.83A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.3Ohm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 73W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PFP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 1500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1375 pF @ 25 V	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTQ3N150M	Виробник : IXYS	MOSFETs TO3P 1.5KV 3A N-CH HIVOLT	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
IXTQ3N150M	Виробник : IXYS	Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.5kV; 1.83A; Idm: 9A; 73W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.5kV Drain current: 1.83A Pulsed drain current: 9A Power dissipation: 73W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 7.3Ω Mounting: THT Gate charge: 38.6nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: standard power mosfet Reverse recovery time: 900ns	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.