Продукція > IXYS > IXTQ42N25P
IXTQ42N25P

IXTQ42N25P IXYS


littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_42n25p_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 42A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
на замовлення 26 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+396.54 грн
10+ 343.05 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ42N25P IXYS

Description: MOSFET N-CH 250V 42A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 84mOhm @ 500mA, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ42N25P

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTQ42N25P IXTQ42N25P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_42n25p_datasheet.pdf.pdf MOSFET 42 Amps 250V 0.084 Rds
товар відсутній