Продукція > IXYS > IXTQ470P2
IXTQ470P2

IXTQ470P2 IXYS

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtq470p2_datasheet.pdf.pdf
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 500V 42A TO3P
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ470P2 IXYS

Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO3P; 400ns, Case: TO3P, Mounting: THT, On-state resistance: 0.145Ω, Kind of package: tube, Power dissipation: 830W, Gate charge: 88nC, Polarisation: unipolar, Features of semiconductor devices: standard power mosfet, Drain current: 42A, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 500V, Type of transistor: N-MOSFET, Reverse recovery time: 400ns.

Інші пропозиції IXTQ470P2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTQ470P2 IXTQ470P2 IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtq470p2_datasheet.pdf.pdf MOSFET PolarP2 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ470P2 IXTQ470P2 IXYS IXTQ470P2.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO3P; 400ns
Case: TO3P
Mounting: THT
On-state resistance: 0.145Ω
Kind of package: tube
Power dissipation: 830W
Gate charge: 88nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 42A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 400ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ470P2 littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixtq470p2_datasheet.pdf.pdf
IXTQ470P2
Виробник: IXYS
MOSFET PolarP2 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ470P2 IXTQ470P2.pdf
IXTQ470P2
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 42A; 830W; TO3P; 400ns
Case: TO3P
Mounting: THT
On-state resistance: 0.145Ω
Kind of package: tube
Power dissipation: 830W
Gate charge: 88nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: standard power mosfet
Drain current: 42A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Reverse recovery time: 400ns
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.