IXTQ48N65X2M IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Mounting: THT
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 70A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Mounting: THT
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 70A
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
On-state resistance: 65mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Gate charge: 76nC
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 739.94 грн |
| 2+ | 486.8 грн |
| 3+ | 486.11 грн |
| 5+ | 459.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ48N65X2M IXYS
Description: DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ48N65X2M за ціною від 465.33 грн до 887.93 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ48N65X2M | Виробник : IXYS |
 MOSFET MSFT 48A 650V X2 |
на замовлення 180 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IXTQ48N65X2M | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF Mounting: THT Power dissipation: 70W Case: TO3PF Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 70A Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A On-state resistance: 65mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 76nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| IXTQ48N65X2M | Виробник : IXYS |
Description: DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|