IXTQ48N65X2M IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 76nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 818.82 грн |
| 3+ | 685.55 грн |
| 10+ | 605.77 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ48N65X2M IXYS
Description: DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P, Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Packaging: Tube, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: TO-3P, Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ).
Інші пропозиції IXTQ48N65X2M
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTQ48N65X2M | Littelfuse Inc. |
Description: DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Packaging: Tube Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-3P Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | |
 |
IXTQ48N65X2M | IXYS |
 MOSFETs TO3P 650V 48A N-CH X2CLASS |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. |
| IXTQ48N65X2M |
Виробник: Littelfuse Inc.
Description: DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Description: DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: TO-3P
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.
| IXTQ48N65X2M |
|
Виробник: IXYS
MOSFETs TO3P 650V 48A N-CH X2CLASS
MOSFETs TO3P 650V 48A N-CH X2CLASS
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику
од. на суму грн.