IXTQ48N65X2M IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 76nC
Pulsed drain current: 70A
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 48A
Power dissipation: 70W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 76nC
Pulsed drain current: 70A
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 815.38 грн |
| 2+ | 542.57 грн |
| 5+ | 512.68 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ48N65X2M IXYS
Description: DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V, Power Dissipation (Max): 70W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ48N65X2M за ціною від 615.21 грн до 978.46 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTQ48N65X2M | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 48A; Idm: 70A; 70W; TO3PF Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 48A Power dissipation: 70W Case: TO3PF Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 65mΩ Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Gate charge: 76nC Pulsed drain current: 70A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 17 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| IXTQ48N65X2M | Виробник : Littelfuse Inc. |
Description: DISCRETE MOSFET 48A 650V X2 TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4300 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
||||||||||
 |
IXTQ48N65X2M | Виробник : IXYS |
 MOSFETs TO3P 650V 48A N-CH X2CLASS |
товару немає в наявності |