IXTQ50N20P IXYS
Виробник: IXYSCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 298 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 259.22 грн |
| 3+ | 213.65 грн |
| 5+ | 192.15 грн |
| 10+ | 191.46 грн |
| 12+ | 181.74 грн |
| 30+ | 178.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ50N20P IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ50N20P за ціною від 213.93 грн до 391.45 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IXTQ50N20P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P Type of transistor: N-MOSFET Technology: PolarHT™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 50A Power dissipation: 360W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 60mΩ Mounting: THT Gate charge: 70nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 150ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 298 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTQ50N20P | Виробник : IXYS |
MOSFET 50 Amps 200V 0.06 Rds |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTQ50N20P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 50 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 360 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 360 Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: PolarHT Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06 SVHC: No SVHC (16-Jan-2020) |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
IXTQ50N20P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
IXTQ50N20P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 360W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V |
товар відсутній |