Продукція > IXYS > IXTQ50N20P
IXTQ50N20P

IXTQ50N20P IXYS

littelfuse-discrete-mosfets-ixt-50n20p-datasheet?assetguid=93310175-2371-43af-9c53-8351f9872220 Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+457.98 грн
30+251.15 грн
120+209.36 грн
510+167.73 грн
1020+163.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ50N20P IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ50N20P за ціною від 187.90 грн до 517.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTQ50N20P IXTQ50N20P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+466.05 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20P IXTQ50N20P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_50N20P_Datasheet.PDF MOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+475.44 грн
10+273.53 грн
120+205.35 грн
510+187.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20P Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-50n20p-datasheet?assetguid=93310175-2371-43af-9c53-8351f9872220 IXTQ50N20P THT N channel transistors
на замовлення 224 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна
1+517.64 грн
5+272.54 грн
12+257.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20P IXTQ50N20P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_50n20p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.