Продукція > IXYS > IXTQ50N20P
IXTQ50N20P

IXTQ50N20P IXYS

IXTA50N20P-DTE.pdf Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; PolarHT™; unipolar; 200V; 50A; 360W; TO3P
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: PolarHT™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 50A
Power dissipation: 360W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 70nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Reverse recovery time: 150ns
на замовлення 217 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+378.84 грн
10+262.80 грн
30+216.67 грн
60+206.78 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ50N20P IXYS

Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 360W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ50N20P за ціною від 147.17 грн до 418.41 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTQ50N20P IXTQ50N20P Виробник : IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Standard_IXT_50N20P_Datasheet.PDF MOSFETs 50 Amps 200V 0.06 Rds
на замовлення 333 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+410.42 грн
10+236.12 грн
120+177.26 грн
510+162.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20P IXTQ50N20P Виробник : IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-50n20p-datasheet?assetguid=93310175-2371-43af-9c53-8351f9872220 Description: MOSFET N-CH 200V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 360W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2720 pF @ 25 V
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+411.16 грн
30+225.48 грн
120+187.96 грн
510+150.58 грн
1020+147.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N20P IXTQ50N20P Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR IXYS-S-A0008598115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ50N20P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 50 A, 0.06 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200
Dauer-Drainstrom Id: 50
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 360
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 360
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: PolarHT
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.06
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+418.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.