Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXTQ50N25T IXYS

IXTQ50N25T IXYS

IXTQ50N25T.pdf
Код товару: 59390
Додати до обраних Обраний товар

Виробник: IXYS
Корпус: TO-3P
Напруга сток-витік Uds, В: 250 В
Струм стоку Idd, А: 50 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 60 мОм
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 4100/78
Монтаж: THT
у наявності: 12 шт
  • 12 шт - РАДІОМАГ-Київ
КількістьЦіна без ПДВ
1+250.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTQ50N25T за ціною від 233.65 грн до 607.53 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTQ50N25T IXTQ50N25T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-50n25t-datasheet?assetguid=d7f19b2b-0219-4b0c-a29d-b093518ee586 Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.53 грн
30+341.64 грн
120+288.15 грн
510+233.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N25T IXTQ50N25T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_50N25T_Datasheet.PDF MOSFETs 50Amps 250V
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N25T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-50n25t-datasheet?assetguid=d7f19b2b-0219-4b0c-a29d-b093518ee586
IXTQ50N25T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+607.53 грн
30+341.64 грн
120+288.15 грн
510+233.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ50N25T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_50N25T_Datasheet.PDF
IXTQ50N25T
Виробник: IXYS
MOSFETs 50Amps 250V
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.