IXTQ50N25T IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET N-CH 250V 50A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 410.9 грн |
| 30+ | 316.09 грн |
| 120+ | 282.81 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ50N25T IXYS
Description: MOSFET N-CH 250V 50A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4000 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ50N25T
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTQ50N25T | Виробник : Ixys Semiconductor GmbH |
MOSFET N-CH., 250V, 50A, TO-3P |
на замовлення 12 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||
 |
IXTQ50N25T Код товару: 59390 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
||
 |
IXTQ50N25T | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET N-CH 250V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товар відсутній |
|
 |
IXTQ50N25T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO3P; 166ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 50A Power dissipation: 400W Case: TO3P On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 166ns кількість в упаковці: 300 шт |
товар відсутній |
|
 |
IXTQ50N25T | Виробник : IXYS |
MOSFET 50Amps 250V |
товар відсутній |
|
|
|
IXTQ50N25T | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 50A; 400W; TO3P; 166ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 250V Drain current: 50A Power dissipation: 400W Case: TO3P On-state resistance: 50mΩ Mounting: THT Gate charge: 78nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 166ns |
товар відсутній |