Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IXTQ52N30P

IXTQ52N30P

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf
Код товару: 143359
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IXTQ52N30P за ціною від 255.99 грн до 761.39 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTQ52N30P IXTQ52N30P IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-52N30P-Datasheet.PDF MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+419.26 грн
10+311.37 грн
120+258.80 грн
510+255.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30P IXTQ52N30P IXYS SEMICONDUCTOR littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+761.39 грн
5+667.04 грн
10+573.51 грн
50+444.93 грн
100+382.57 грн
250+349.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30P Littelfuse-Discrete-MOSFETs-N-Channel-Standard-IXT-52N30P-Datasheet.PDF
IXTQ52N30P
Виробник: IXYS
MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
1+419.26 грн
10+311.37 грн
120+258.80 грн
510+255.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30P littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf
IXTQ52N30P
Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
Verlustleistung: 400W
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+761.39 грн
5+667.04 грн
10+573.51 грн
50+444.93 грн
100+382.57 грн
250+349.52 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.