Продукція > IXYS SEMICONDUCTOR > IXTQ52N30P
IXTQ52N30P

IXTQ52N30P IXYS SEMICONDUCTOR

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf Виробник: IXYS SEMICONDUCTOR
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 300V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 400W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Polar
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm
SVHC: No SVHC (12-Jan-2017)
на замовлення 206 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+382.93 грн
5+370.55 грн
10+357.35 грн
50+308.83 грн
100+263.86 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ52N30P IXYS SEMICONDUCTOR

Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (12-Jan-2017).

Інші пропозиції IXTQ52N30P за ціною від 267.79 грн до 578.36 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTQ52N30P IXTQ52N30P Виробник : IXYS media-3321946.pdf MOSFETs 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds
на замовлення 580 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+479.79 грн
10+428.09 грн
30+371.52 грн
120+335.47 грн
270+288.39 грн
510+267.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf Транзистор польовий N-Channel MOSFET Udss=300 V; Id=52 A; Rds=0,073 Ohm TO-3P
на замовлення 30 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
1+361.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30P Виробник : IXYS littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf IXTQ52N30P THT N channel transistors
на замовлення 206 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+578.36 грн
3+364.16 грн
9+344.85 грн
2010+343.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30P
Код товару: 143359
Додати до обраних Обраний товар

littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30P IXTQ52N30P Виробник : Littelfuse rete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52N30P IXTQ52N30P Виробник : Littelfuse Inc. littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_standard_ixt_52n30p_datasheet.pdf.pdf Description: MOSFET N-CH 300V 52A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.