IXTQ52N30P IXYS
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 52A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: Polar™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 52A
Power dissipation: 400W
Case: TO3P
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 73mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 250ns
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 376.94 грн |
3+ | 268.34 грн |
9+ | 253.93 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ52N30P IXYS
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 300V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 400W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 400W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Polar, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції IXTQ52N30P за ціною від 238.83 грн до 480.41 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTQ52N30P | Виробник : IXYS SEMICONDUCTOR |
Description: IXYS SEMICONDUCTOR - IXTQ52N30P - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 300 V, 52 A, 0.073 ohm, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 300V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 400W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 400W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Polar productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.073ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.073ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTQ52N30P | Виробник : IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; Polar™; unipolar; 300V; 52A; 400W; TO3P; 250ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: Polar™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 300V Drain current: 52A Power dissipation: 400W Case: TO3P Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 73mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 250ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 237 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTQ52N30P | Виробник : IXYS | MOSFET 52 Amps 300V 0.066 Ohm Rds |
на замовлення 160 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTQ52N30P | Виробник : IXYS | Транзистор польовий N-Channel MOSFET Udss=300 V; Id=52 A; Rds=0,073 Ohm TO-3P |
на замовлення 30 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
IXTQ52N30P Код товару: 143359 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
IXTQ52N30P | Виробник : Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 300V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
IXTQ52N30P | Виробник : IXYS |
Description: MOSFET N-CH 300V 52A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 66mOhm @ 26A, 10V Power Dissipation (Max): 400W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 300 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 25 V |
товар відсутній |