IXTQ52P10P IXYS
Виробник: IXYSDescription: MOSFET P-CH 100V 52A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 1659 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 484.58 грн |
| 30+ | 372.47 грн |
| 120+ | 333.26 грн |
| 510+ | 275.95 грн |
| 1020+ | 248.36 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ52P10P IXYS
Description: LITTELFUSE - IXTQ52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-3P, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Through Hole, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 52A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300W, Bauform - Transistor: TO-3P, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: PolarP Series, productTraceability: No, Kanaltyp: P Channel, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, directShipCharge: 25, SVHC: No SVHC (17-Dec-2014).
Інші пропозиції IXTQ52P10P за ціною від 350.5 грн до 555.7 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IXTQ52P10P | Виробник : IXYS |
MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds |
на замовлення 269 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTQ52P10P | Виробник : LITTELFUSE |
Description: LITTELFUSE - IXTQ52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-3P tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm directShipCharge: 25 SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
IXTQ52P10P | Виробник : Littelfuse |
Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P |
товар відсутній |
|||||||||
 |
IXTQ52P10P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO3P Kind of package: tube Gate charge: 60nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO3P Reverse recovery time: 120ns Drain-source voltage: -100V Drain current: -52A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||
|
|
IXTQ52P10P | Виробник : IXYS |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; PolarP™; unipolar; -100V; -52A; 300W; TO3P Kind of package: tube Gate charge: 60nC Technology: PolarP™ Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±20V Mounting: THT Case: TO3P Reverse recovery time: 120ns Drain-source voltage: -100V Drain current: -52A On-state resistance: 50mΩ Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 300W Polarisation: unipolar |
товар відсутній |