Продукція > LITTELFUSE INC. > IXTQ52P10P
IXTQ52P10P

IXTQ52P10P Littelfuse Inc.

Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B Виробник: Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+544.15 грн
30+369.05 грн
120+335.37 грн
510+277.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ52P10P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ52P10P за ціною від 341.84 грн до 746.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTQ52P10P IXTQ52P10P Виробник : IXYS media-3322437.pdf MOSFET -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
на замовлення 269 шт:
термін постачання 322-331 дні (днів)
Кількість Ціна
1+586.88 грн
10+495.48 грн
30+390.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52P10P IXTQ52P10P Виробник : LITTELFUSE LFSI-S-A0007907326-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: LITTELFUSE - IXTQ52P10P - MOSFET, P-CH, 100V, 52A, TO-3P
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Through Hole
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 52A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300W
Bauform - Transistor: TO-3P
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: PolarP Series
productTraceability: No
Kanaltyp: P Channel
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+746.28 грн
25+591.02 грн
100+435.75 грн
250+341.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52P10P Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B IXTQ52P10P THT P channel transistors
на замовлення 383 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+638.10 грн
3+387.88 грн
8+366.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IXTQ52P10P IXTQ52P10P Виробник : Littelfuse fuse_discrete_mosfets_p-channel_ixt_52p10p_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET P-CH 100V 52A 3-Pin(3+Tab) TO-3P
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.