Продукція > IXYS > IXTQ52P10P
IXTQ52P10P

IXTQ52P10P IXYS

Littelfuse_Discrete_MOSFETs_P_Channel_IXT_52P10P_Datasheet.PDF
Виробник: IXYS
MOSFETs -52.0 Amps -100V 0.050 Rds
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+462.72 грн
10+340.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ52P10P IXYS

Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ52P10P за ціною від 227.47 грн до 573.46 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
IXTQ52P10P IXTQ52P10P Виробник : IXYS Littelfuse-Discrete-MOSFETs-P-Channel-IXT-52P10P-Datasheet.PDF?assetguid=B047FBE5-952B-40C8-BFA0-176E9733DB4B Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 1615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+573.46 грн
30+322.68 грн
120+272.25 грн
510+227.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.