
IXTQ52P10P Littelfuse Inc.

Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3P
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V
на замовлення 2483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1+ | 544.15 грн |
30+ | 369.05 грн |
120+ | 335.37 грн |
510+ | 277.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTQ52P10P Littelfuse Inc.
Description: MOSFET P-CH 100V 52A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 52A, 10V, Power Dissipation (Max): 300W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2845 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTQ52P10P за ціною від 341.84 грн до 746.28 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTQ52P10P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 269 шт: термін постачання 322-331 дні (днів) |
|
||||||||||
![]() |
IXTQ52P10P | Виробник : LITTELFUSE |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Through Hole Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 52A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 300W Bauform - Transistor: TO-3P Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: PolarP Series productTraceability: No Kanaltyp: P Channel Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm directShipCharge: 25 |
на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||
IXTQ52P10P | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 383 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||
![]() |
IXTQ52P10P | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |