Продукція > IXYS > IXTQ60N10T

IXTQ60N10T IXYS

media?resourcetype=datasheets&itemid=f61c8bf8-64b9-460f-b3a0-1ab92d63fb25&filename=littelfuse_discrete_mosfets_n-channel_trench_gate_ixtq60n10t_datasheet.pdf Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO3P
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-3P
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
300+174.74 грн
Мінімальне замовлення: 300
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTQ60N10T IXYS

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-3P, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTQ60N10T

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IXTQ60N10T IXTQ60N10T Виробник : IXYS media-3323751.pdf MOSFET MSFT N-CH TRENCH GATE -GEN1
товар відсутній